Направление и цели исследований: формирование состава объектов окружающей среды в природных процессах - фундаментальная проблема космо- и геохимии. В науке о материалах, прежде всего в химии высокочистых веществ, поставленные вопросы имеют важнейшее прикладное значение. Разработаны первичные подходы, модели для решения ряда задач с использованием имеющихся экспериментальных данных по элементному составу метеоритов, поверхностей планет Солнечной системы, горных пород воды океанов, морей, растительности и т.п. Земли. Наиболее значительное место в исследованиях занимают образцы рекордно чистых веществ. Теоретический аппарат основан на математических методах теории вероятностей (цепи Маркова), химической и статистической термодинамики. Требуемые исходные данные представлены в специальной литературе, в аналитических паспортах образцов Всероссийской Выставки-коллекции высокочистых веществ (ИХВВ РАН, Н. Новгород). Разрабатываемые теоретические методы позволяют по имеющимся, как правило, неполным данным анализа восстановить более полную картину примесного состава изучаемых объектов.
Состояние исследований. Интерес к проблеме. По представляемому направлению защищены две кандидатские диссертации. Написано и опубликовано несколько десятков работ в центральных и местных изданиях. Интерес к проблеме достаточно заметен как в отечественной, так и в зарубежной литературе.

Возможности. Связи. Для решения исследуемой проблемы достаточно наличие у сотрудников современных персональных компьютеров с выходом в Internet. Студенты принимают непосредственное участие в расчетах и разработке методик прогнозирования примесного состава конкретных природных и техногенных образцов простых  и сложных веществ. Работа коллектива базируется на взаимодействии с учёными различных научно- исследовательских коллективов. Научные связи развиты на уровне ближнего Зарубежья.

Направление и цели исследований: Развитие современной техники предъявляет все более высокие требования к примесному составу веществ и материалов. Важнейшим источником высокочистых веществ являются летучие соединения элементов. Эти соединения обладают молекулярной кристаллической решеткой, отличаются низкими температурами плавления и кипения, заметным давлением пара при обычных и умеренно повышенных температурах, хорошей растворимостью. Для глубокой очистки таких веществ разработаны многоступенчатые методы очистки (ректификация, противоточная кристаллизация, сублимация). Летучие вещества, полученные в высокочистом состоянии, могут быть не только конечным товарным продуктом, но и использоваться для получения высокочистых нелетучих веществ. Химическим превращением высокочистых летучих веществ пользуются для получения нелетучих тугоплавких материалов, например, простых веществ и оксидов.
Исследования в области высокочистых веществ и материалов отражают традиционную тематику научных работ, проводимых сотрудниками кафедры неорганической химии в последние десятилетия. До настоящего времени основное внимание уделялось получению и исследованию свойств высокочистых гидридов, фторидов, хлоридов, металлорганических соединений и металлокомплексов.
В последние годы проводятся исследования в области получения и исследования свойств высокочистых летучих иодидов. К настоящему времени получены и изучаются иодиды теллура и кремния, которые в дальнейшем предполагается применить для получения высокочистых оксидных стекол. На ближайшую перспективу намечены работы по получению в высокочистом состоянии иодидов фосфора, германия и алюминия.
Летучие иодиды отличаются меньшей термической устойчивостью по сравнению с другими галогенидами, способностью разлагаться с образованием низших иодидов, образовывать несколько кристаллических модификаций. К настоящему времени свойства иодидов изучены недостаточно, и поэтому предполагается исследовать их поведение при нагревании, в частности, изучить состав твердых продуктов термического разложения, состав паров, кинетику испарения в вакуум. Это позволит подробнее охарактеризовать синтезируемые нами продукты с точки зрения их дальнейшего применения для получения высокочистых оксидных стекол методом химического осаждения из паровой фазы.
Большое внимание в коллективе уделяется доведению работ до конечного результата, которым является получение вещества требуемой чистоты, разработка и практическая реализация технологических схем синтеза конечных и промежуточных продуктов, реализующих принципы цикличности, экономии реагентов и утилизации побочных продуктов. Творческий потенциал коллектива позволяет генерировать и воплощать в реальности изящные принципиальные схемы синтеза.

Направление и цели исследований:  получение высокочистого гидрида кремния SiH4 (моносилана), в том числе изотопнообогащённых гидридов кремния: 28SiH4, 29SiH4, 30SiH4.
Высокочистый моносилан является одним из основных веществ для получения полупроводникового кремния. Для полупроводниковой промышленности требуется кремний с определённой степенью чистоты и совершенной кристаллической структурой. Соответствие этим требованиям достигается применением эффективных методов очистки (ректификация) и выращиванием монокристаллов кремния из его расплава. Особый интерес вызывают индивидуальные изотопы кремния: 28Si, 29Si и 30Si, что обусловлено наличием у них ряда уникальных свойств.

В последние годы в Институте химии высокочистых веществ Российской Академии наук в рамках международного проекта "Авогадро", целью которого является уточнение числа Авогадро, проводится работа по получению высокочистого кремния-28. Она включает нескольких стадий: синтез 28SiH4 по реакции 28SiF4 c CaH2, глубокая очистка и термическое разложение  28SiH4. Прводимые исследования посвящены повышению степени превращения реагентов, применяемых для синтеза 28SiH4  и снижению содержания примесей в  гидриде кремния-28. Конкретными научными задачами являются изучение влияния примесей в гидриде кальция (оксид кальция, углерод) на выход и степень чистоты синтезируемого силана; снижение содержания примесного углерода в СаН2 путём вымывания водородом; изучение влияния температуры, давления, механической активации, дисперсности и удельной поверхности гидрида кальция на его степень превращения.