12+
Версия для слабовидящих
Медиа Центр Новости Поиск Карта сайта Контакты
European University Association

Предстоящие защиты

<< назад

Название диссертации

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ И ЭФФЕКТ ПОЛЯ В КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУРАХ In(Ga)As/GaAs, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ


Автор
Истомин Леонид Анатольевич

Шифр специальности
01.04.10
Название специальности
Физика полупроводников
Шифр совета
Д 212.166.01 

Дата защиты
19 января 2011 г.
Место защиты
Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23/3, НИФТИ в 14.00

Руководитель
Карпович Игорь Алексеевич
доктор физико-математических наук, профессор


Оппоненты
Болдыревский Павел Борисович
доктор физико-математических наук, профессор

Тетельбаум Давид Исаакович
доктор физико-математических наук, профессор


Загрузить автореферат

Свидетельство о регистрации СМИ ЭЛ № ФС 77-25404,
выданное Федеральной службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия

Минобрнауки РФ

План противодействия идеологии терроризма в РФ на 2013-2018 гг: scienceport.ru, нцпти.рф


© ННГУ 1994-2020 г. | web-мастер: wwwlab@unn.ru