|
|
|
|
Предстоящие защиты<< назад
| Название диссертации | ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ
НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ
КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР GaAs/In(Ga)As, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ
МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ |
| Автор | Горшков Алексей Павлович |
| Шифр специальности | 01.04.10 | Название специальности | Физика полупроводников | | Шифр совета | Д 212.166.01 | | |
| Дата защиты | 13 декабря 2006 г. | | Место защиты | 603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23/3, НИФТИ. |
| Руководитель | Карпович И.А.
доктор физико-математических наук,
профессор
|
| Оппоненты | Болдыревский П.Б. доктор физико-математических наук,
профессор
Демидов Е.С. доктор физико-математических наук,
профессор
|
| Загрузить автореферат |  |
|
|
|
|
