12+
Версия для слабовидящих
Медиа Центр Новости Поиск Карта сайта Контакты
European University Association

Предстоящие защиты

<< назад

Название диссертации

ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ КВАНТОВО-РАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОНАНОСТРУКТУР GaAs/In(Ga)As, ВЫРАЩЕННЫХ ГАЗОФАЗНОЙ МОС-ГИДРИДНОЙ ЭПИТАКСИЕЙ


Автор
Горшков Алексей Павлович

Шифр специальности
01.04.10
Название специальности
Физика полупроводников
Шифр совета
Д 212.166.01 

Дата защиты
13 декабря 2006 г.
Место защиты
603950, Нижний Новгород, пр. Гагарина, 23/3, НИФТИ.

Руководитель
Карпович И.А.
доктор физико-математических наук, профессор


Оппоненты
Болдыревский П.Б.
доктор физико-математических наук, профессор

Демидов Е.С.
доктор физико-математических наук, профессор


Загрузить автореферат

Свидетельство о регистрации СМИ ЭЛ № ФС 77-25404,
выданное Федеральной службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия

Минобрнауки РФ

План противодействия идеологии терроризма в РФ на 2013-2018 гг: scienceport.ru, нцпти.рф


© ННГУ 1994-2022 г. | web-мастер: wwwlab@unn.ru