12+
Версия для слабовидящих
Медиа Центр Новости Поиск Карта сайта Контакты
European University Association
<< к списку новостей

21.06.2006

Презентация сборника статей "Опередивший время", посвященных О.В.Лосеву, пройдет в Музее ННГУ "Нижегородская радиолаборатория"


В июне 2006 г. издательство Нижегородского университета выпускает в свет сборник статей «Опередивший время», посвященных жизненному пути и научному наследию одного из ярчайших ученых ХХ столетия Олега Владимировича Лосева (1903 – 1942). Сборник подготовлен под руководством ректора ННГУ, профессора Р.Г. Стронгина коллективом известных ученых в составе: А.А. Андронов (чл.-корр. РАН, ИФМ РАН), М.А. Новиков (к.ф.-м.н., ведущий научный сотрудник ИФМ РАН), А.Г. Остроумов (к.ф.-м.н.), Т.И. Ковалева (к.и.н., зав. кафедрой музеологии ННГУ, директор музея науки ННГУ).

Инициатором издания является М.А. Новиков, который много лет собирал, изучал и анализировал труды О.В. Лосева и его последователей, свидетельствующие о гениальной интуиции ученого и позволяющие по достоинству оценить его наиболее выдающиеся научные достижения. Составители сборника поставили перед собой задачу показать значение научных работ О.В. Лосева с современных позиций и отстоять приоритет ученого в ряде важнейших открытий, составляющих научную основу для самых перспективных направлений современных технологий.

Приведенные материалы в достаточно полной мере характеризуют О.В. Лосева как ученого мирового масштаба и отражают его вклад в развитие полупроводниковой физики и техники.

Сборник «Опередивший время» открывает статья М.А. Новикова «О.В. Лосев и современная физика полупроводников», в которой особое внимание уделяется отстаиванию приоритета О.В. Лосева в открытии и исследовании в полупроводниках электролюминесценции и p-n-переходов - наиболее важных результатов в физике полупроводников с современной точки зрения. В статье приводится оценка этих достижений с использованием различных источников, в том числе и мнений самых авторитетных современных ученых в области полупроводниковой физики и техники.

Основу сборника составила публикация рукописи «Олег Лосев – изобретатель кристадина» Бориса Андреевича Остроумова (1887–1979) – известного ученого, инженера, историка науки и страстного пропагандиста научных достижений в Советском Союзе. Б.А. Остроумов был одним из ведущих сотрудников Нижегородской радиолаборатории (1918-1928) и имел особые заслуги в изучении ее истории и достижений, а после переезда лаборатории в Ленинград (1928 г.) являлся руководителем вакуумно-физической лаборатории ВЭСО, одним из сотрудников которой был О. В. Лосев. Еще в конце сороковых годов он написал книгу «Олег Лосев – изобретатель кристадина». Эта книга в то время уже была принята к печати, но по каким-то непонятным причинам не была опубликована и долгое время рукопись находилась в архиве племянника Бориса Андреева – А.Г. Остроумова. Андрей Георгиевич любезно разрешил ее опубликовать в настоящем сборнике. Рукопись Б.А. Остроумова, как и статья Георгия Андреевича Остроумова, брата Б.Г. Остроумова, «Облик О.В. Лосева как ученого и человека», представляют особую ценность, так как авторы хорошо знали О.В Лосева лично, были его друзьями и даже в разное время руководили его работой. Это единственные свидетели жизни О.В. Лосева, которые много писали о нем.

Статья А.Г. Остроумова и А.А. Рогачева «О.В. Лосев – пионер полупроводниковой электроники», опубликованная в 1986 году, представляет интерес тем, что она написана известными специалистами в области физики полупроводников и содержит авторитетный и полный обзор основных работ О.В. Лосева, отражающий практически все его научные достижения.

В сборнике помещен перевод статьи известного ученого в области полупроводниковой физики и техники Игона Лобнера «Предыстория светодиода». Эта статья в значительной степени утвердила среди западных специалистов в области полупроводниковой физики авторитет О.В. Лосева как человека, который открыл и первый исследовал важнейшее физическое явление – электролюминесценцию, создал первую правильную модель p-n-перехода, стал автором других важнейших результвтов в области физики полупроводников.

Статья В.В. Жирнова и Н.В. Суетина «Изобретение инженера Лосева», опубликованная в журнале «Эксперт» в марте 2002 г., интересна тем, что написана молодыми учеными, которые случайно только за границей узнали о О.В. Лосеве и его открытиях.

Поскольку научное наследие О.В. Лосева представляет интерес и для современных исследователей, в настоящем сборнике помещены наиболее выдающиеся работы О.В. Лосева, которые перепечатаны из сборника: О.В. Лосев «У истоков полупроводниковой техники» без дополнительной редакции.

Кроме того, в сборнике воспроизведены его основные патенты и приведен уточненный список всех научных трудов О.В. Лосева, включая его патенты и авторские свидетельства. В конце сборника приводится список публикаций, в которых в той или иной степени упоминается вклад О.В. Лосева в различные разделы физики полупроводников.

В Твери (на родине О.В. Лосева) была обнаружена копия весьма важного документа – «Жизнеописание Олега Владимировича Лосева». Этот рукописный документ, написанный самим О.В. Лосевым, хранится в Политехническом музее в Москве и содержит много новых фактов о жизни и научных достижениях Лосева. В частности, там говорится о том, что еще до войны О.В. Лосеву удалось, по-видимому, сделать трехэлектродный полупроводниковый усилитель. Эти сведения могут существенно изменить наше представление об истории изобретения транзистора. Приведенные материалы в достаточно полной мере характеризуют О.В. Лосева как ученого мирового масштаба и отражают его вклад в развитие полупроводниковой физики и техники.

9 мая 2003 года исполнилось 100 лет со дня рождения Олега Владимировича Лосева – выдающегося русского ученого и изобретателя в области радиоэлектроники и оптоэлектроники. Работая сначала в Нижегородской радиолаборатории (НРЛ), а потом в Ленинграде в двадцатых и тридцатых годах прошлого столетия, он сделал ряд важнейших открытий и изобретений, которые позволяют по праву считать его пионером этих научно-технических направлений. Без сомнения, широкой публике наиболее известно открытие им способности полупроводниковых детекторов к усилению и генерации электромагнитных колебаний («кристадин»), а также открытие и правильная интерпретация явления электролюминесценции в полупроводниках. Вместе с тем необходимо отметить, что значение этих и других выдающихся научных достижений О.В. Лосева до настоящего времени оценено явно недостаточно как у нас в стране, так и за границей.

Михаил Афанасьевич Новиков родился в 1935 году в д. Ямново Борского района Горьковской области. С 1954 по 1955 г. — учащийся Горьковского радиотехнического техникума (в здании бывшей НРЛ). С 1955 по 1958 год — солдат срочной службы Советской Армии в войсках ПВО. С 1958 по 1963 год — студент радиофизического факультета Горьковского университета. Защитил диссертацию в 1971 г. До 1977 г. работал Научно-исследовательском радиофизическом институте. С 1977 по 1993 год — старший научный сотрудник Института прикладной физики АН СССР. С 1993 г. — ведущий научный сотрудник Института физики микроструктур РАН. Основные направления научной деятельности: лазерная физика, лазерная спектроскопия, лазерная интерферометрия и гироскопия, оптика анизотропных сред, прикладная оптика. Автор более 100 научных работ и 20 патентов и авторских свидетельств.



Свидетельство о регистрации СМИ ЭЛ № ФС 77-25404,
выданное Федеральной службой по надзору за соблюдением законодательства в сфере массовых коммуникаций и охране культурного наследия

Минобрнауки РФ

План противодействия идеологии терроризма в РФ на 2013-2018 гг: scienceport.ru, нцпти.рф


© ННГУ 1994-2018 г. | web-мастер: wwwlab@unn.ru