Проект посвящён исследованию перспективных полупроводниковых материалов

2019 03 18 WA0015

Заявка коллектива Университета Лобачевского № 19-57-80011 стала победителем представительного конкурса Российского фонда фундаментальных исследований на лучшие многосторонние исследовательские проекты по приоритетным направлениям БРИКС в рамках Рамочной программы БРИКС в сфере науки, технологий и инноваций. Совместный научный проект российского коллектива с коллективами из Индии и Бразилии посвящен исследованию оксида галлия – перспективного материала для электроники и фотоники нового поколения. Руководитель проекта с российской стороны — доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник, профессор НИФТИ ННГУ Давид  Тетельбаум.

Поддержанный проект «Исследование и разработка наноматериалов на основе оксида галлия с контролируемым дефектно-примесным составом для применений в перспективных электронных устройствах» является развитием на качественно новом уровне результатов, полученных при реализации совместного Российско-Индийского проекта, посвященного исследованию ионно-лучевого синтеза нитрида галлия в кремний-совместимых диэлектрических матрицах. В рамках предыдущих исследований для отдельных комбинаций ионов и матриц были получены композитные слои с нанокристаллами оксида галлия, продемонстрировавшие рекордные характеристики по фоточувствительности.

Ga2O3 в последнее время выдвигается на одно из первых мест по важности для микро- и наноэлектроники будущего поколения, что требует разработки эффективных способов получения этого материала с заданными свойствами. Для синтеза и контролируемого управления параметрами слоев и наноструктур на основе оксида галлия в данном проекте предлагается применение неравновесных методов получения и модификации, а именно — методов ионной имплантации и магнетронного осаждения для контролируемого введения в материал дефектов и примесей заданного вида и с заданной концентрацией. Ионная имплантация будет использована также для формирования и легирования нанокристаллов Ga2O3 в совместимых с кремнием диэлектрических матрицах, потенциально обладающих свойством размерного квантования. Неравновесный характер предлагаемых методов в принципе дает возможность преодоления физических ограничений, присущих равновесной фазе Ga2O3. Эти методы и подходы хорошо развиты как коллективом НИФТИ, так и зарубежными партнерами из Индии и Бразилии. В ходе исследований также будут применены уникальные методики модификации и анализа свойств материалов с применением ионных пучков высоких энергий, развитые коллективом из Бразилии. Эффективность использования данных методов будет апробирована при создании лабораторных образцов фотоприемников ультрафиолетового излучения и газовых сенсоров.

Активное сотрудничество научных коллективов России, Индии и Бразилии в рамках данного проекта будет способствовать всестороннему развитию связей между учеными этих стран БРИКС.