Полученные результаты могут найти применение в проектировании новых устройств наноэлектроники

Учёными физического факультета Университета Лобачевского изучаются электронные и транспортные свойства планарных графеновых гетероструктур, включающих щелевую модификацию графена. Структуры подобного типа могут быть реализованы за счет эффекта взаимодействия графена с неоднородной подложкой, состоящей из чередующихся слоев диоксида кремния и гексагонального нитрида бора.

Исследовательской группой впервые рассчитан электронный спектр сверхрешётки на основе графена с пространственно-модулированной щелью, выполнены исследования транспортных свойств одномерных мультибарьерных структур рассматриваемого типа.

Обсуждается влияние беспорядка на локализационные и транспортные свойства графеновых сверхрешеток, включая образцы с пространственно-неоднородной щелью.

Указанные исследования могут найти применение при создании элементной базы графеновой электроники и проектировании новых устройств наноэлектроники.