В него вошли 9 коллективных работ сотрудников университета
Сотрудники научно-исследовательской лаборатории стохастических мультистабильных систем научно-образовательного центра «Физика твердотельных наноструктур» ННГУ им. Н.И. Лобачевского, созданной в соответствии с Соглашением № 074-02-2018-330(2) между вузом и Минобрнауки РФ в рамках выполнения мегагранта под руководством ведущего итальянского ученого, профессора Бернардо Спаньоло (2018-2022 гг.), приняли активное участие в подготовке специального выпуска высокорейтингового журнала «Chaos, Solitons & Fractals» (импакт-фактор 9.922).
В специальный выпуск «Memristors and Nonequilibrium Stochastic Multistable Systems» (август 2022 года) в числе 61 работ (9 работ принадлежат коллективу лаборатории) по большей части вошли расширенные версии докладов, представленных на международной конференции «Новые тенденции в неравновесных стохастических мультистабильных системах и мемристорах (NES2019)», проходившей в Центре Этторе Майорана в г. Эриче (Трапани, Сицилия, Италия) с 18 по 21 октября 2019 г. Основные цели этого специального выпуска – продвижение новых идей, выявление новых тенденций и ключевых новаций в актуальной и плодотворной области исследований и разработок, связанных с механизмами мемристивного эффекта, наноматериалами и технологиями создания мемристоров для применений в элементах энергонезависимой резистивной памяти (Resistive Random Access Memory – RRAM), новых информационно-вычислительных системах на их основе. Значительное внимание уделено мемристивным нейроморфным системам, которые могут обеспечить существенное (на порядки величины) повышение производительности и энергоэффективности при решении сложных вычислительных задач.
Представлен также ряд работ по анализу хаотического поведения мемристоров и мемристивных нейронных сетей, а именно, метастабильному и прерывистому хаосу, синхронизации хаоса, мемристивным гиперхаотическим системам. Еще одну группу статей специального выпуска традиционно составили теоретические и экспериментальные исследования динамики стохастического резистивного переключения и роли внешних и внутренних тепловых источников шума в мемристорах. В частности, представлены новые результаты по экспериментальному наблюдению в мемристивных системах таких известных явлений с конструктивной ролью шума, как стохастический резонанс и резонансная активация.
Эти новые наблюдения открывают путь к более глубокому пониманию механизма переключения в мемристивных системах и, в то же время, к широкому кругу приложений, где шум используется в качестве управляющего параметра, позволяющего улучшить стабильность функционирования электронных устройств.
